Abstract
由於目前風行的有機金屬氣相磊晶法不但可以提高發光二極體的效率亦可大量生產，因此紅外二極體極有潛力取代半導體鐳射成為短距離光纖通訊的光源，故本論文擬以有機金屬氣相磊晶法成長砷化鎵，並研製射光二極體。首先研究在沒摻雜質下，磊晶成長的情形，並以歐傑電子分光儀、掃描式電子顯微鏡、電壓－電流特性、電容－電壓特性、深層能階之暫態頻譜及光激發顪譜來分析磊晶層的特性。發現在氫化砷對三甲基鎵莫耳比較的情況下形成正型，而當莫耳比超過15時，就轉變為負型，而且電子載體及EL2 的濃度都隨著氫化砷對三甲基鎵比增加而增加。並用硒作為摻雜而形成負型磊晶層，發現在氫化硒固定時，載體濃度反比於氫化砷的量，並用鋅摻雜而形成正型，其摻雜量亦隨三乙基鋅量增加而直線上升。由光激發光頻分析發現在硒摻雜的磊晶層，其主要尖峰是由傳導帶到碳佔砷所發出光所造成，且其尖峰隨著雜質量增多而移到高能量且頻帶亦變寬並由深層能階之暫態頻譜分析中，發現在硒的摻雜之磊晶層比沒摻雜時多了一深層能階（EL-0.33 ρV ），且EL2的濃度亦較高。最後由電子激發光頻譜分析得知製在有機金屬氣相磊晶法所成長的硒摻雜之磊晶上的發光二極體比基底晶片所作出的有更強的發光度，且其頻帶也較窄。