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以氧氣電漿蝕刻的鑽石奈米管之電性研究
Thesis

以氧氣電漿蝕刻的鑽石奈米管之電性研究

黎展志
Masters, National Tsing Hua University
2008

Abstract

鑽石奈米管反應性離子蝕刻電阻電性 diamondnanotubereactive ion etchingresistorelectrical property
本研究利用氧氣電漿來蝕刻P-型多晶鑽石膜,製作出鑽石奈米管林,刮下長度約8微米之鑽石奈米管後,使用聚焦離子束系統內的離子誘發式白金,噴灑蒸鍍在奈米鑽石管的兩端,再鍍上白金來連接鑽石奈米管與白金導電墊。其中,白金與鑽石的接點是歐姆接觸。經過兩點探針的電性量測方式得到的鑽石奈米管電阻率,其值小於P-型多晶鑽石膜的值三個數量級,而且鑽石奈米管的電阻率與直徑大小相關,透過不同溫度下的電流─電壓曲線圖而得知,兩個不同數值的激發能存在於鑽石奈米管內,其中之一是由塊材(載子受體能階)所貢獻,另一個則由表面(載子捕捉能階)所貢獻。

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