Abstract
近年來，由於元件的持續縮小化，半導體製程中的微影技術逐漸到達了物理極限，為了能夠讓半導體產業持續遵循摩爾定律，傳統由上而下 ( top-down ) 的縮小方式已漸漸無法滿足我們電晶體數量每兩年就成長一倍的需求。而由下而上 ( bottom-up ) 建構電子元件的技術則成為我們重要的研究對象。而奈米材料如奈米碳管、奈米線等奈米結構，則成為科學家們積極研究的目標。而這之中又以石墨烯 ( graphene ) 最被視為可能取代現今矽製程的新穎材料，不單因為其為一個單一原子層的二維材料，更因為其具有良好的物性與化性。 石墨烯雖有其優異的電子特性，但單一層的石墨烯其價帶與導帶是採線性的能量動量分佈，其間並無能隙存在。此項半金屬條件限制了石墨烯在電子元件上的應用，為了克服這項問題，我們必須試著用不同的方法去把石墨烯的能隙打開，本篇論文嘗試以化學氣相沉積法成長出單層或雙層的石墨烯並以氨氣電漿對石墨烯同時進行打開能隙及摻雜，我們發現此法不僅可以有效的使石墨烯轉而成為 N 型，更可以藉著熱退火的方式重整其結構，且不使摻雜功能失去作用。