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以氫電漿處理方法對金膜與自生氧化層矽基材附著力改善之研究
Thesis

以氫電漿處理方法對金膜與自生氧化層矽基材附著力改善之研究

林正裕
Masters, National Tsing Hua University
2005

Abstract

氫電漿刮痕測試附著力田口法表面能金膜自生氧化層矽基材 H2 plasmascratch testadhesionTaguchi methodsurface energyAu filmSiOx/Si substrate
在微機電和積體電路的元件中,薄膜與基材的附著力是決定其性能好壞的一項重要因素,擁有好的薄膜附著力,對其可靠度是相當的重要。在以往的文獻即有提到,金膜與自生氧化層矽基材(SiOx/Si),其界面間之附著力是相當的弱,金膜本生具有高的導電性及在電遷移上具有高的阻抗性等優點,因此增強其與自生氧化層矽基材(SiOx/Si)界面附著力,是相當重要的,本論文以氫電漿對自生氧化層矽基材做預處理,藉以增加金膜與此基材間之附著力。在附著力量測上,主要是利用刮痕試驗法(scratch test),配合電子顯微鏡的觀察及破壞機制的判斷,可以得到一臨界載重值,此臨界載重之定義為薄膜界面產生破壞時所需施之正向力大小,而本論文即以此值代表附著力的大小。 在本論文中,以氫電漿對自生氧化層矽基材做預處理,可以增強其與金膜間之附著力,而調變不同的製程參數可以使其附著力增加,增加氫電漿射頻功率、製程溫度、製程時間及氫氣流量,均可使其附著力增強。由刮痕試驗之結果,比較有無電漿處理之臨界載重值,可發現其最大差距可達50倍的差值。本論文並與具有鈦中間層之試片做一個比較,可以得到本論文所使用之方法其臨界載重值大11.6%。 利用傅立業紅外線光譜儀、二次離子質譜儀、接觸角量測儀及原子力顯微鏡做化學及物理分析,可以推斷利用氫電漿預處理方法,增加金膜與自生氧化層矽基材附著力之原因。一為因氫電槳的處理,使其表面發生化學效應,產生新的官能機Si-H鍵結,而原先在表面上的Si-O-Si鍵結,會漸漸被此Si-H鍵結所取代。第二為因氫電槳的處理,使其表面發生物理效應,造成表面形貌的改變,表面粗糙度增加,產生機械鎖合的效應,因此其附著力能有所增加。

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