Abstract
本實驗以液相磊晶法成長AlGaAs磊晶層，實驗中以不同的成長溫度、組成、時間、冷卻速率及雜質等不同的條件，來成長不同的AlGaAs磊晶層，並利用AES、PL、SEM、Hall measurement及C－V等，來分析其特性，嘗試去了解磊晶層的厚度、成份及載子濃度與這些因子的關係。並利用這些可以控制的條件，做出一個Double－Heterostruc-ture的LED。
- Title
- 以液相磊晶法成長AlGaAs磊晶層
- Translated title
- 以液相磊晶法成長AlGaAs磊晶層
- Creators
- 黃碧珊 (Author)
- Contributors
- 龔正 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English