Abstract
由於矽土光纖的低損耗波段已平移到長波長區域，因此長波長的雷射已日漸受到重視。波長在１•６５微米的砷化錠銦╱磷化銦雙異質接面的半導體電射已在這篇論交裹被發展出來。基於液相磊晶系統對實驗裝置的要求不高及有成長複雜結構的能力，我們選擇此為成長的方法。成長的溫度大約在攝氏６００度。在最上層的磷化銦及中層的砷化錠銦之間，一個砷化錠銦抗反蝕層用來防止砷化錠銦反蝕回磷化銦層。將二氧化矽層蝕刻成條狀結構，能將電流及光能量局限到這個區域。由量測結果可知磊晶層已被控制良好。光的輸出亦被偵測到。
- Title
- 以液相磊晶法成長砷化鎵銦半導體雷射
- Translated title
- 以液相磊晶法成長砷化鎵銦半導體雷射
- Creators
- 林惠娟 (Author)
- Contributors
- 連振炘 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English