Abstract
摘要 在本論文研究中，我們於清華大學儀器組的加速器實驗室，成功地建立了一套溝道分析技術系統。該系統元件包括：離子傳輸元件、真空設備、偵測系統、以及儀器控制程式等。此外，本研究並撰寫一個電腦模擬程式，用以將溝道分析的能譜轉換成輻射損傷於材料內的縱深分佈。本研究並針對能量為 72 keV的矽離子佈植於矽靶材所形成的輻射損傷分佈，以及該輻射損傷分佈隨不同佈植離子劑量以及退火條件進行一系列的探討。結果發現：(1)材料內輻射損傷的程度隨佈植離子劑量的增加而增加，且漸趨於飽和。(2)在固定退火(30秒與60秒)與佈植離子劑量(1.5×1015個/cm2與1×1016個/cm2)的條件下，退火後材料內的殘餘損傷量會隨退火溫度(400℃-800℃)的增高而減少，而以退火溫度在600℃-650℃間，該殘餘損傷量會所呈現的減少現象最為顯著﹔基本上，當退火溫度在650℃-800℃之間，材料內的輻射損傷情形幾能完全回復。類似的現象亦出現於1×1016個/cm2的佈植條件。(3)當退火溫度為800℃，佈植離子劑量為1.5×1015個/cm2 (退火時間分別為30秒與60秒)，或1×1016個/cm2 (退火時間為30秒) 之時，雖然材料內的輻射損傷幾已完全回復，但在EOR (End of range)處仍存有殘餘缺陷。