Abstract
本研究採無電鍍被覆方式,在每顆微細Al2O3粉末上被覆一層銀膜，再以粉 末冶金法，先冷壓成型、再熱壓成型製造銀基複合材料。首 先針對3μm 或1μmAl2O3粉末的無電鍍銀過程進行研究。結果顯示,微 細Al2O3粉末並 不需要活化、敏化前處理;以葡萄糖為還原劑之無電鍍 銀配方，在室溫下 銀可以達到百分之百析出；反應時間只需2-3分鐘, 且隨Al2O3粉末尺寸減 少及數量增加而下降。經成份分析得知無電鍍銀純度相當高，雜質含量小 於0.5wt%。以超音波振盪鍍著，可以得到任意銀含量及分散良好之鍍銀粉 末，且每顆粒子均能鍍上一層銀膜。 SEM觀察得知鍍銀Al2O3粒子表面有 高低起伏、且有自由析出之銀粒子附著；隨著銀膜變厚，表面愈趨平坦。 將鍍銀Al2O3粉末,利用大氣熱壓法製造銀基複合材料。金相觀察 得知Al2 O3粒子在銀基材內分散相當均勻,並無聚團現象。冷壓成型時 間及壓力對 熱壓後緻密度的影響不大；而隨著熱壓時間、溫度及壓力 增加，複合材 料之緻密度亦隨之上升。對3μmAl2O3/Ag複合材料而言 ，熱壓條件至少 要500℃、300MPa、15min；對1μmAl2O3/Ag而言，至 少需600℃、300MPa 、15min。此種以外加超音波震盪之無電鍍銀鍍著及大氣熱壓法，可成功 地 製造出含不同體積比(10∼40vol%)之3μm及1μmAl2O3散佈強化之銀基 複合材料，經機械性質及電性測試，發現以氧化鋁強化銀基複合材,可得 到強度高、導電度良好且抗電弧沖蝕之複合材料。其彎曲強度可達同法製 成之純銀的三倍；其導電率與銀氧化鎘相近,但比銀氧化錫 來的高；其電 弧沖蝕情形，類似銀氧化錫。