Abstract
本文內容在敘述利用菊池電子全像術探究GaAs(100)(2X4) 表面原子結構，方法上只需要用全像法來直接傅利葉轉換動量空間繞射圖形，這種方法的成功，取決於理論與實驗上的共同發展，而近年來菊池電子全像術已被證實為了解表面構造最好的工具之一。 整個實驗重心，專注在GaAs(100)(2X4)最外層結構的As原子dimer長度，經此次實驗證實為2.4Å。論文結果討論的後半部還試圖從數據分析過程中，觀察結果變化，找出一些線索，提出些許可行性 希望能有助益分析實驗數據的方便性與準確性，當應用在本次實驗中 結果發現所得到的資訊超過預期的準確，並利用結果找出GaAs(100)(2X4)β2可能的結構模型。最後寄望在將來的驗證，並能釐清菊池電子發展上的細部問題，給予些許幫助。