Abstract
為探討金屬矽化物在離子佈植時承受的能力，以便觀察應用於護罩時之優劣；並為了解離子在樣本中之分佈情形，可經由控制離子種類，入射離子能量，類確地設計出離子分佈形態。因此本篇論文除了有離子分佈圖外，並有輻射傷害分佈圖，而且將一度空間之分佈圖推廣成三度空間，也因此可模擬具有橫向與縱向介面結構之問題。本篇論文所使用的方法為蒙地卡羅法，因蒙地卡羅法不僅適用於複雜之問題，其最大的特點是精確度很高，因此選用此法來模擬離子佈植之佈情形，並以矽化物之TiSia為主要樣本，觀察其離子佈植時產生之變化。模擬程式共有三個，第一個程式為定點入射之單層結構，主要是用來建立離子佈植之基本資料；第二個程式為具有窗口之多層結構，可適用於觀察形成淺接面時之離子分佈情形；第三個程式為具有橫向與縱向之雙層結構，可用來探討離子佈植時橫向所產生的尾部，是否可適用於製造LDD 時之淺濃度區域，將須二次佈植之過程以一次佈植便把高濃度與低濃度之區域作成。除了以上觀察離子分佈情形外，亦須考慮佈植時矽化物離子是否將介面破壞，此項可自輻射三維之輻射傷害圖觀察得知。在本篇之程式一共模擬１００kev 之As﹢，B ﹢，P ﹢為入射離子，以及１００kev ，４０kev 之B ﹢植入Hg ﹣xCdxTe；程式二以２００kev 之As﹢為入射離子；程式三則以１００kev 與５０kev 之Ag﹢，１００k-ev之P ﹢為入射離子。