Abstract
利用微波電漿氣相沈積法，可以在鍍著無電鍍鎳的鋼材上成長品質良好的鑽石膜，但因鋼材和鍍層與鑽石膜的熱膨脹係數相差過大，以致鑽石膜由成長溫度冷卻至室溫，因熱應力過大，產生脫層和破裂的現象，使其應用受到限制。本實驗在無電鍍過程中加入適量與大小適中的鑽石粉末，藉著半露出鍍層表面的鑽石粉末作為ＣＶＤ鑽石的成核位置與鑽石膜嵌入鍍層中的錨釘，以加強鑽石膜與鍍層的附著性。結果顯示，ＣＶＤ鑽石膜確實能在復合鍍層上成長，並且改善其與鍍層間的附著性，而鍍液中含12g/l，0~4um的鑽石粉末，所鍍析的鑽石複合鍍層所成長之鑽石膜附著性較佳，其磨耗試驗結果顯然較〝三明治式的鑽石復合鍍層〞為佳，但結果也顯示了其附著性仍未達理想，須進一步研究改善。在鍍層截面的研究中發現，鐵、磷原子會往鍍層表面擴散，再鍍層與鋼材間生成Υ(Fe、Ni)相，而磷原子被排擠往鍍層表面移動，並與鎳化合生成Ni3P相。而10um的鎳鍍層厚度，足以在10小時的沈積中遲滯鐵擴散制鍍層表面的時間。