Abstract
當半導體元件尺寸愈接近奈米等級時，使用傳統的濕式或乾式清洗的方式進行光阻劑的去除將愈來愈難。不僅如此，傳統去除光阻之方法不僅十分耗費日益珍貴的水資源，也需要使用十分大量且具有危險性的化學物質。而超臨界流體幾乎沒有表面張力且黏度極低，使得超臨界流體能更貼近物體表面，因而與現有的技術相比，更能滲入高深寬比的溝渠將光阻劑完全去除。而且以超臨界二氧化碳作為光阻去除時，由於容易取得且安全並符合環保要求，對於化學藥劑的減量也有相當程度的增益。 本研究是使用超臨界二氧化碳作為載體，利用其可膨潤(Swelling)光阻高分子的特性，再搭配共溶劑對光阻高分子產生氧化、溶解、侵蝕等作用，來破壞高分子結構之完整性，此外亦利用半連續式與批式增減壓之操作來加強上述之效應，進一步的將光阻剝除於晶圓的表面，達到剝除光阻的目的。 本研究亦採用了直接噴灑的操作方式，藉由其高動量及共溶液與光阻層直接接觸的效果來對光阻進行剝除。結果顯示對酚醛樹脂光阻與壓克力樹脂光阻中的剝除效果皆十分理想，能夠在短時間內即達到將光阻層大部分剝除的效果。