Abstract
以離子被覆技術來輔助雷射鍍膜的方法，是目前還在研究階段的最新鍍膜技術，由於離子被覆大大的改善了傳統蒸鍍附著力差與薄膜結構松軟的問題，再加上雷射蒸鍍原本就具有的高蒸鍍率與適用於高熔點陶瓷高純度膜製作的優點，使得有關此種方法的研究報告，目前正不斷的引起世人注目的眼光。由我們實驗結果可以發現，以熱電子輔助式離子被覆法來製作薄膜時，當靶架與基板間施加100?300伏特的電壓，而在熱陰極施加2.0 安培的直流電流，並以150?200伏特的偏壓來加速其所釋放的熱電子以離子化由雷射光加熱所蒸發出來的蒸氣粒子時，可以要基板上得到表面平整度很好的薄膜，由此法所鍍出來的膜，不僅因薄膜內部應力的緩和而增加了附著力，及因蒸氣粒子能量的提高而增強了膜質的緊密度，而且由高解析度穿透式電子顯微鏡的繞射圖形中，更說明了此法能在室溫的基板上以連續式雷射蒸鍍出多結晶性薄膜的可行性。由無所不在的電子資訊工業，到與我們日常生活息息相關的表面加工業，薄膜技術在其間扮演了一個非常重要的角色，在本文實驗所研究的兩種蒸發源材料中，氧化鈹(Beo) 這種物質，由於它具有很高的熱導性及絕緣性，可以將其鍍在高功率電晶體的基座上作為絕緣及散熱用，又由於它對於輻射有近於人體的吸收係數，目前已有某些實驗室拿它來作熱發光劑量劑(Thermoluminescent Dosimeter,TLD) 這方面的研究與應用。至於二氧化鋯(ZrO )，這種物質，目前已被公認為是製作光學玻璃表面的抗反射多層膜不可或缺的成分之一。我們相信，在可預見的將來，以離子被覆法來鍍膜的這種技術在薄膜工業領域中將會有更廣闊的發展空間與遠景。