Abstract
本實驗採用刮刀成形法 (Doctor Blading)，製作鋯鈦酸鉛系 （Pb（ZrxTi1-x）O3，PZT）相對厚薄膜 (~20μm)，為了微致動器元件微小化的需求，朝向製作單層元件為目標。又刮刀成形之PZT薄帶燒結溫度超過1000℃，一般常用之基板，如矽無法承受如此高溫，因此在元件製作上有其限制。因此本論文主題在探討 PZT-PNN 薄帶燒結條件，及雷射剝離法轉移薄膜製程。於可耐高溫的多晶氧化鋁及單晶氧化鋁基板做束縛燒結，改變不同燒結溫度與燒結時間，討論其結晶性、微結構與電性間的影響，尋找出一最適當的燒結條件。進一步研究雷射剝離製程的可行性，將單晶氧化鋁基板上燒結完成的單層PZT-PNN膜，成功的轉移至矽基板上，可得到最佳的鐵電性：Pr = 19.85 μC/cm2，Ec = 12.85 kV/cm，顯示薄膜特性不受雷射剝離的影響。運用雷射剝離法於元件製作，則可降低基板對刮刀成形的限制。亦可利用此製程，將薄膜轉移至任何所需基板上，如：Si、GaAs、Polymer…等。且單晶氧化鋁基板 (sapphire) 可重複使用，符合經濟效益。