Abstract
本實驗採用網印法製作鋯鈦酸鉛系的PNN-PZT相對厚膜 (~25 μm)，以滿足微致動器元件微小化的需求，及達成朝向製作單層元件的目標。一般PZT厚膜需在高溫燒結，而微機電系統所使用的矽基板，無法承受1000℃以上的高溫，因此我們先在單晶氧化鋁 (sapphire) 基板上燒結出具最佳特性的PNN-PZT厚膜，再經由雷射剝離法，將燒結完成的厚膜，轉移至矽基板上，以供微機電系統使用。本實驗主要以改善雷射剝離技術為目的，探討鍵結層的選擇對雷射剝離製程的影響。實驗結果發現低溫銀膠的鍵結方式能使雷射剝離技術的再現性增加。本研究最後也針對雷射剝離前後的厚膜電性與微結構做進一步的研究與探討。另一方面，由於PNN-PZT厚膜在高溫燒結時會受基板的束縛，使其厚膜表面產生空孔、裂縫甚至撕裂，因此本研究針對此現象提出改善方法，也就是探討厚膜在束縛燒結的情況下，以PZT的MOD溶液滲透PNN-PZT厚膜表面，研究對其整體微結構與電性之影響。而實驗結果也發現厚膜的特性能藉由滲透PZT溶液而改善。