Abstract
DRAM的工作原理，是借著純電容在5V電壓下暫時累積電荷，而在讀取資料時，電容上必須有足夠的電荷方能被正確地偵測到。由Q=C*V=V*ε*ε*A/d，A：電容面積，d：電容厚度。因為厚度做得太薄，有漏電的考量，所以在電腦有限的空間中，要想達到大容量的目的只有把面積做小，但每個電容的Q值在一定電壓下要達到某極限值，唯一的方法就是提高介電常數值。如前所提訊息的貯存會因我們所用材料的漏電而有消失的憂慮，所以這也是做此利用另一個考量的因素。而做FRAM的材料則要具有電滯曲線的特性。這和我做的薄膜是在 tetragonal或cubic相有很大的關係。 純BaTiO3材料具有Perovskite結構，其居里溫度在 120℃左右。借著Sr20% mol的取代Ba，Sr0.2Ba0.8 TiO3的居里溫度約在70℃左右，此一系列的材料在其居里溫度附近有很大的介電常數，所以我們希望至少得到一個室溫具有較高介電常數的薄膜，由其電性探討其用於RAM的可行性。 本實驗是利用308nm的雷射，打在以化學法製作的靶材上，分別在 n-type Si(100)與Pt1000o/Ti500 o/n -type Si(100) 基板上鍍Sr0.2Ba0.8TiO3t研究其電性；而在MgO (100)基板上研究其方向性；且在玻璃上研究其光學性質。