Abstract
以電子束褪火有關磷植入ＣｕＩｎＳ□的P-type doping ，是一相當有效方法。本研究利用此方法，則sheet resistance可低至１０．１Ω╱□，而sheet carrier concentration 可高達２．６×１０□□ｃｍ□□，mobility至４９９ｃｍ□╱Ｖ．Ｓ，critical energy density 在１１?１３Ｊ╱ｃｍ**之間，利用化學方法和Van derpauw / Hall 的方法，有效的carrier concentration 可高達９×１０□□ｃｍ□□。利用電子束褪火我們可以製得很好的p-n CuInS□homofunction ，其junction p-erfection factor為１．７５，且energy band diagram 可獲得。我們亦利用defe-ctmodel 去解釋PL data 。