Abstract
磷植入於CdTe是一種P-type摻雜的方法。利用電子束褪火來研究其可行性與效果，經由多次的Hall-effect與van-der-paw在各縱深的測試。當能量密度在9.8J/cm2時的電洞濃度可達到一較高的值，其非傳統的熱褪火所能獲致的。
- Title
- 以電子束褪火有關磷植入CdTe之研究
- Translated title
- 以電子束褪火有關磷植入CdTe之研究
- Creators
- 楊宗賓 (Author)
- Contributors
- 黃惠良呂助增 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English