Abstract
在本實驗中，我們以CF4、C2H2和N2氣體為前驅物並使用電子迴旋共振化學氣相沉積法製備低介電?氮氟化非晶質碳膜（a-C:F:N）。首先，為了增進傳統氟化非晶質碳膜的熱穩定性，我們選擇加入氮原子幫助交聯。發現隨著N2氣體流量比由0%增加至60%時，雖然薄膜的氟原子含量會由55.3%下降至41.5%且導致介電常數從1.7上升到3.0，然而卻因為交聯度的提升，使得在經過300℃退火30分鐘後，薄膜厚度衰減率由26.6%下降至3.9%。接著我們也探討了沉積溫度對a-C:F:N薄膜性質的影響。隨著沉積溫度的升高，鍍膜速率會變小，另外，薄膜中CFx鍵結比例也會隨著溫度的上升而下降以致氟含量減少造成介電常數值增加。然而，a-C:F:N薄膜的熱穩定性卻也因為沉積溫度的上升而增強。例如，在400℃下所沉積的a-C:F:N薄膜，其氟含量在300℃退火過後只有1.5%的下降，而介電常數值也只從原本的3.2上升至3.32。