Abstract
近年來由於半導體科技與生物科技的急速發展和突破，「奈米」這一名詞逐漸在科學工程裡漸漸地嶄露頭角，大量人力、財力投入發展相關技術、材料及應用，希望可利用這極微小尺度的發明為人類在各方面帶來大幅度的助益，奈米碳管(carbon nanotube，CNT)更因其材料特性優勢可帶來的發展，成為此領域裡被廣為研究的對象，本研究採用電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhanced CVD,PECVD)進行碳管的生成，此方法的特色是電漿對沈積氣體原子的激發反應，往往可以使沈積所需的基板溫度大大降低。以場發射陣列元件為例，可使基板不需要用高溫的矽基板，而使用低溫玻璃基板的機會大大提昇。在碳管製程中除了需要提供碳源的有機分子氣體外，還需添加如氨氣(NH3)、氫氣(H2)等氣體，並需讓這些氣體量較含碳氣體量為大，才可得到碳管。可知在碳管製程中加入非含碳氣體確實對碳管的產率提升上有幫助。從製程氣體的裂解反應或是目前發表的相關文獻中，可發現製程中有氫分子與氫原子的存在，一些文獻中也常通入氫氣作為成長碳管的輔助氣體，本研究首先利用光譜儀與質譜儀量測相關物種隨控制因子的變化情形，希望藉此瞭解製程條件因子改變時相關物種的變化趨勢，其中，光譜儀量測譜線為氫原子656.28 nm放射光，質譜儀則以氫氣、氫原子、乙炔、乙烯(C2H4)、甲烷(CH4)、及CH3為量測對象。