Abstract
透明導電膜最近在各個領域應用甚廣, 但目前工業上所採用的製程由於必須在高溫之下進行, 所以會對產品的品質有所影響. 所以本論文的目的,乃是在室溫之下, 以電漿輔助化學氣相沉積法長出具有良好導電度與透光率的透明導電膜.我們的做法是分四個階段進行, 以期找出適合成長出錫薄膜, 銦薄膜, 錫-銦薄膜, 與錫-銦-氧之透明導電膜. 在錫薄膜的合成中, 我們發現薄膜的導電度可達1.53 * 10^4 (1/ohm cm), 而其結晶性則不是很好, 和James等人所做的結果極為相近. 在沉積速率方面則可達到0.1到1 A/sec..對於銦薄膜, 我們發現要用到10^-2 SCCM量級的三乙基銦流量, 才可看得到有薄膜沉積, 而這個流量也是本系統所能提供的最大流量. 而在這麼大的原料流量之下, 銦薄膜的沉積速率卻只有10^-2量級的沉積速率. 但是或許是沉積速率較慢的關係, 所沉積出的膜結晶性非常好. 本研究以沉積銦膜所採用的三乙基銦流量搭配兩組四甲基錫流量進行反應. SEM的EDX分析結果顯示只有在四甲基錫流量在6.28 * 10^-3 SCCM時, 薄膜中才會有少量的銦元素存在. 至於沉積速率則和錫薄膜的沉積速率相近. 我們依次的找到前三者的最佳反應條件, 並且使用這個條件去配以氧氣合成出透明導電膜, 其對可見光的穿透率可達百分之八十,而導電度可達10^4 (1/ohm cm)左右. 由於氧氣在電漿中的清除作用, 使得膜中的碳氫雜質都會被氧氣所反應帶走, 所以沉積速率大約在10^-2至10^-1A/sec.量級. SEM的EDX分析顯示在這個系統之下, 薄膜的主要成份為錫元素而非銦元素.