Abstract
在室溫下，置３５０torr 於光程為２０．２５米長的多重反射吸收槽，以０．０２解析度，可測得 在７７９０－８０１５ 光區之弱吸收，共有９個轉動支系的９３根譜線，並求出線強度，其吸收總強度（band strength）為（９．４±２．４）× m，譜帶中心為（７８８８．０９５３±０．００８２） 。放射光譜實驗中，係利用直流放電裝置或在低壓快速流（fast flow ）□進行微波分解，以產生激發分子。放光的偵測在波長小於７０００ 之光區時以多頻道光學分析儀（OMA ）為主。在波長大於７０００ 時，則在８，８００ 以上，９，０００?１，８００ 及１，８００以下等光區，分別以Si，InSb及MCT 為檢測器，霍氏紅外光譜儀（FTIR）偵測。放射光譜實驗的主要結果如下：（１）鋁電極通氫氣的直流放電實驗中，可測得 ，譜帶中心為４２４１ 的可見光放光。（２）微波分解 ╱ ╱He混合物，在共振腔內可測得AlH A←X 躍遷的放光，另在紅外光區有HCl ，由ｖ≦４能階的振動激態放光。（３） （０．０３torr）加入He（０．４torr）稀釋，經由微波分解後，觀測到 及 躍遷的放光。（４）微波分解OCS 的實驗中，則在挳腔中或解離後下游的放光（aftcrglow） ，均可偵測到 ｖ≦３的振動激態放光。（５）硫粉加熱到１００℃左右，以He為帶動氣體，微波分解後，測得其下游放光（after|golw）含有 ，Ｂ－Ｘ的可見放光及９８００?１６，０００ 的三組系列（６）微波分解 （ ） ＋ ╱He的混合物，在共振腔□，出現一譜帶中心約為３，１００ ，轉動支系的譜線間距約為４ 的光譜。初步分析顯示未與已知的躍遷吻合，而其譜線的分佈密度與雙原子分子的譜線分佈型態類似，正確之指認迥待進一步的工作。