Abstract
本研究的主要目地是利用高頻電容－電壓（High-Frequency Capacitance-Voltage）研究不同製程對MOS 電容器Si╱Si０ 面能階密度之形狀（Shape ）和大小（Magni-tude）的影響。本研究之MOS 電容器乃在熱氧化前利用氧離子佈植技術精確控制氧原子濃度，利用濕氧氧化後，在N 氣體中進行後氧化熱退火（簡稱POA ），並在鍍完鋁閘極後，分別在N 和２５％H ╱N 進行後金屬閘極熱退火（簡稱PMA ），結果發現：１）不同的後金屬退火條件對Si０ ╱Si界面能階密度Dit 的形狀有影響；在２５％H ╱N 進行PMA的有氧離子佈植試樣，其 數量級為４＊１０?１．６＊１０（１╱cm ev）之間，小於沒有氧離子佈植的試樣之 數量級（?２．５＊１０ １╱cm ev），而在N 中進行PMA 的有氧離子佈植試樣之界面能階密度（ 數量級為１０ １╱cm ev），大於沒有氧離子佈植之 數量級（?５．１＊１０ １╱cm ev）；由界面能階密度的行狀得知，在N 中進行PMA 會使得有氧離子佈植試樣之Dit 在能帶上半平面有上昇的趨勢，可能由於佈植入矽的氧原子與矽原子形成Si－０弱鍵結或弱互作用所形成，而在２５％H ╱N 中進行PMA ，大部份試樣其Dit 在能帶上半平面有往下降的趨勢。顯示不同的PMA 對同樣有氧離子佈植試樣之Dit 形狀和大小有很大的影響，至於氧離子佈植劑量和能量對Dit 則無法用C －V 方法分析出簡單關係．２）由Co γ－ray 照射的平板電壓偏移量之結果，發現有氧離子的試樣有輻射加固的效果，且發現在氧離子佈植後沒有作熱退火處理的試樣結果較差。