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以鹵化矽與四鹵化鈦為先驅物製作薄膜之研究
Thesis

以鹵化矽與四鹵化鈦為先驅物製作薄膜之研究

鄭維昇
Masters, National Tsing Hua University
1995

Abstract

化學氣相沈積;矽化鈦;二氟次矽基;四氯化鈦;四氟化鈦 CVD TiSi2 SiF2 TiX4(X= F, Cl)
本實驗是以四鹵化鈦與矽基材進行矽的鈦化反應,而以矽的鹵化物與鈦金屬薄片進行矽化反應,.鈦化反應矽化反應由產物來看,這兩類反應都是鹵素轉移的結果.在此,我們不難發現此二反應其實是一對可逆反應,因此推測可能具有相同的中間體.另外我們也使用四鹵化鈦與二鹵次矽基反應製作含矽鈦薄膜.此類型的反應以金屬鹵化物與二鹵次矽基反應製作金屬矽化物薄膜.本實驗室已有類似經驗並對反應機構有初步的瞭解.是二鹵次矽基與金屬鹵化物反應形成中間體,再由二鹵次矽基清除金屬與矽上的鹵素,而得到金屬矽化物.在鈦化反應與矽化反應中同時也產生了二鹵次矽基與四鹵化鈦,因此不可忽略此二物種進行插入反應對總反應的貢獻.總反應式可描述如下:本實驗經由不同反應條件調整反應物之濃度,以製作不同成分的薄膜,並探究其細部的反應機構.

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