Abstract
自行組裝開發低壓化學氣相沈積氮化鈦系統，反應腔為熱壁式RTA爐管， 使用TiCl4與NH3 為反應源，Ar作為攜帶氣體，從場發射式電子顯微鏡( FESEM)、X光繞射(XRD)、歐傑電子能譜(AES)、X光光電子光譜 (XPS)、中 子活性分析(NAA)、二次離子質譜儀(SIMS)等量測分析儀器來量測LPCVD- TiN 薄膜性質，以找尋鍍膜最佳條件；另將LPCVD-TiN 鍍在深次微米的接 觸洞上，作為擴散障礙層，研究Cu(5000A)/TiN(300A)/ n+-p、Al-0.5% Cu(5000A)/W(4000A)/TiN(300A)/n+-p和Al-0.5%Cu( 5000A)/TiN(12000 A)/n+-p等接觸結構系統熱穩定性。研究結果，在薄膜性質方面，可達 到100% 的步階覆蓋以及低氯含量 (0.1%)的LPCVD-TiN 薄膜；在接觸系統 熱穩定性方面，對於Cu(3500A)/ TiN(300A)/n+-p 接觸結構系統可穩定 到525C/30min，反偏壓5V時漏電流未明顯上升，對於Al-0.5%Cu(5000A)/ W(4000A)/TiN(300A)/n+-p 接觸結構系統，經過550C/30min 熱處理後， 仍然相當穩定，漏電流未明顯上升對於Al-0.5%Cu(5000A)/TiN(12000A)/ n+-p接觸結構系統，經550C/30 min.熱處理後，仍相當穩定，未見漏電流 明顯上升。