Abstract
本論文在探討以不同氧化階段次數但總氧化時間相同的氧化條件，對金氮半( MNS，Metal Nitride Semiconductor )元件特性的影響。同時也對MNS元件的特性對薄膜厚度( 25A、30 A和35 A )的依存性，作一有系統的探討。最後，探討不同的氧化條件對抑制銅擴散的比較，其中，亦對退火溫度( 未經退火、300℃、350℃和400℃ )之選擇作驗證及討論。在探討不同氧化條件及不同階段的氧化處理中，實驗結果顯示，元件經過900℃兩次的快速熱處理後，在電特性上，有較佳的表現。而在探討MNS特性對氮化矽薄膜的依存性中，我們發現最薄的元件(25A)，在漏電流、Ditm、Vfb及Ebd方面都有最佳表現；尤其是經過900℃兩次快速熱處理的樣本。在抑制銅擴散方面，900℃兩次快速熱處理的樣本有較佳的表現；而退火溫度，則是以300℃最佳。