Abstract
在元件尺吋往次微米的範圍持續縮小的情形下，要求淺的源極和汲極接面 ，以便減小元件操作時的短通道效應;鋁銅金屬合金，以廣泛應用在矽元 件的接線上,在鋁金屬和矽表面上必須有一符合嚴格要求的擴散障礙層， 以防止鋁和矽的相互擴散； 在淺接面接觸和接線之間的金屬化材料應用 必須有低電阻和熱穩定性， C-54矽化鈦則是被受矚目的形成歐姆接面之 材料。本篇論文以鋁/氮化鈦/矽化鈦/n+p的接觸面結構,在不同溫度下退 火，以及不同厚度的氮化鈦下的二極體反向漏電流,以了解接觸結構的穩 定性。而SIMS材料分析，可了解漏電流大小和各物質深度分佈的關係。此 外，XRD來了解矽化鈦和氮化鈦的薄膜性質,並以SEM來觀察接面深度大小 。論文共分六章， 探討淺接面及矽化鈦之形成方法和以氮化鈦為擴散障 礙層的鋁/氮化鈦/矽化鈦/n+p 接觸面結構之電性及材料結構分析。 第一 章為緒論。第二章介紹淺接面和矽化鈦之形成方法及氮化鈦擴散障礙層基 本概念和量測原理。 第三章說明了實驗製程技術含矽薄膜和鈦薄膜的濺 鍍、電漿乾蝕刻非晶矽薄膜、快速升溫退火、 低壓化學氣相沉積氮化鈦 與蒸鍍鋁，並將製程整合介紹。 第四章是以XRD來分析矽化鈦和氮化鈦薄 膜。 第五章以SEM來觀察接面深度並以漏電流和SIMS來了解鋁/氮化鈦/矽 化鈦/n+p 接觸面結構之熱穩定性。第六章為結論。