Abstract
利用低壓化學氣相磊晶法成功的長出了矽化鎢材料，以作為砷化鎵積體電路之閘極應用。此一長成之矽化鎢有的電性及材料特性。利用歐傑電子能譜分析，發覺此薄膜的鎢與矽組成十分均勻並不含其他雜質。矽化鎢的成長速率與溫度和通入氣體的量有很大的關係─在低溫時由表面反應速率控制，在高溫則成為生成物解離控制。同時生成物氟對Si的腐蝕也有很大的影響。在成長薄膜時，矽化鎢已形成了它的相，而經過高溫退火，能觀察出其相變化，同時對較高矽含量的矽化鎢，介面與砷化鎵的相互擴散高溫時十分嚴重，而低矽含量者則否。由矽化鎢與砷化鎵接面的硝基特性看來，在矽與鎢含量比為 0.6時有最佳的電壓電流特性，這點與介面間的相互擴散特性是可以符合的。