Abstract
本研究是利用低壓氣相沉積法成長矽化鎢於砷化鎵之蕭特（Schottky）接觸，其界面的研究。物性及電性上的量測有：奧傑電子光譜（AES ）、拉塞福光譜（RBS ），電流一一電壓，電容一一電壓特性，深能階暫態光譜（DLTS），用以研究矽化鎢於砷化鎵接觸之冶金學上及電性上的特性。由測量的結果可知，當組成比為小於１時，矽化鎢與砷化鎵之界面，並沒有明顯的相互擴散的現象，以及基底載子的重新分佈，即使加熱到八百度的高度下，亦具有很好的穩定性。但是在砷化鎵的內部有兩個屬於材質本身的缺陷，位於E －０•６１eV，E －０•８eV這兩個深能階會影響到蕭特接觸的特性。從界面特性的研究顯示，矽化鎢在組成為０•４時，長於砷化鎵上時，即使是經過高溫處理以後也不產生新的缺陷來。所以是適合用於砷化鎵的積體電路上，作為閘極的材料。