Abstract
本論文中,我們用共同濺鍍的方式,分別把鈦.矽,鈦.鉭還有鈦.鉭.矽一起鍍在矽基板上,在氮氣中,以RTA在550-800度C,30-60秒回火後,觀察矽化物的形成.藉由電阻率.XRD.TEM.SIMS.RBS的量測,來找到C54形成的最低溫,及其可能的原因,再應用於p+-n上,測其接觸電阻.濺鍍的靶材為在3英吋的鈦靶上,夾一半3英吋矽晶片和在3英吋的鈦把上,夾一半的鉭靶.鉭靶有兩種:A.純的3英吋鉭靶切一半.B.在3英吋的矽晶片上鍍鉭後切一半.用一半矽晶片夾在鈦靶上,會把鈦和矽一起鍍下來;用鉭靶A夾在鈦靶上,會把鈦和鉭一起鍍下來;用鉭靶B夾在鈦靶上,會把鈦.鉭和矽一起鍍下來.經電阻率及XRD的量測後,有夾鉭靶B的樣品,較易形成C54,且在550度C便形成.經SIMS及RBS的量測後,界面的氮氣會阻止矽的擴散,而使C54不易形成;鉭的含量太多,也不易形成C54;RTA前,薄膜裡就有很多矽,是C54容易形成的一大原因.把鈦.鉭.矽一起鍍在p+-n上,做成CBKR結構後,用HP-4156A量其接觸電阻,再乘以接觸面積,約為2E-6歐姆-公分.