低溫成長介電層與三閘極結構對可堆疊式垂直閘極無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究

Thesis

低溫成長介電層與三閘極結構對可堆疊式垂直閘極無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究

凌嘉佑

Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系

2015

Abstract

電荷儲存式快閃記憶體

Charge trapping type flash memory

abstract hide

Related links

Metrics

1 Record Views

Details

Title: 低溫成長介電層與三閘極結構對可堆疊式垂直閘極無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究
Translated title: 低溫成長介電層與三閘極結構對可堆疊式垂直閘極無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究
Creators: 凌嘉佑
Contributors: 張廖貴術 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 工程與系統科學系; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2016