Abstract
近年來半導體工業蓬勃發展，為配合產業上的需求，對於半導體元件特 性上的要求亦愈趨嚴。聚亞醯胺具有優異的耐熱性，抗氧化性，及化學穩 定性，加上有良好的機械及電氣性質，可彌補傳統無機材料在應用上的極 限及缺點。為避免聚亞醯胺與其他基材(如金屬)結合時，因熱膨脹係數差 異過大，產生應力，導致產品翹曲、破裂、變形，而使良率降低，並影響 產品品質，因此降低聚亞醯胺之熱膨脹係數(Thermal Expansion Coefficient)，並與基材熱膨脹係數相近為減少應力的重要方式。利用 PMDA、BTDA等Dianhydrides，和Tolidine、ODA、DDM等Diamines，藉由共 聚合方式，合成出熱膨脹係數與銅箔(17ppm/℃)相近之聚亞醯胺共聚合物 ，此共聚合物具有良好的耐熱性、耐燃性耐電壓等性質，並具有優良的電 氣性質及低吸水性，因此可應用於TAB或可撓式印刷電路版的基材上。