Abstract
氧化鋅陶瓷變阻器，由於具有優祑的非歐母特性，可在電力或電路系統中，擔任保護元件的角色。近年來，因為IC工業的發達，本系統逐漸朝向低電壓、高能量吸收的方向發展。本實驗的目的即在探討低電壓氧化鋅變阻器的制程。主要以去除Sb, Cr并添加Ti的方法，來促使氧化鋅晶粒成長，藉著單位厚度內晶粒數目的減少，使崩潰電壓降低。但因Ti的添加，會使晶粒祑常長大，往往造成試片電性的散布過大，導致應用上的困難。所以本實驗利用相同成分但尺寸較大的晶種，添加到原始粉末中，來控制晶粒成長，由於晶種長大至一定程度，會彼此抑制而停止成長，所以可得到均勻的微觀結構，電性的分布也比較集中。本文可分為三部份：第一部份在探討不同晶種添加量對試片VI特性的影響，以及晶種添加對制程參數的敏感程度。第二部份討論晶種添加對氧化鋅變阻器劣化特性的改變，并以添加玻璃、熱處理或伴燒的方式來改善劣化特性。第三部份則以改變晶種成份的方式，來比較晶種中微量元素對試片VI特性的影響。結果發現：1.晶種添加可以使崩潰電壓的分布集中，對制程的再現性較佳；但卻使漏電流增加，劣化變差。2.玻璃添加量增加，劣化改善；熱處理溫度則以500 ℃，2 小時對劣化改善效果最大。3.將晶種中的Bi含量提高至1.0%，或是添加0.1%的Sb，均能使熱電流降低。