Abstract
摘要 薄膜沉積時，表面粗糙度對時間的關係，會隨著成長模型不同而有所變化。本實驗是利用X光反射率法來量測不同薄膜厚度的薄膜，進而由反射率曲線得到薄膜的厚度、密度、表面級介面粗糙度的各項參數，即可知道薄膜沉積時表面粗糙度對時間的變化關係。由於銀與矽不互溶的原因，我們選用的系統是蒸鍍銀膜於矽基板上，而實驗的結果為β=0. 5±0.05，符合隨機沉積模型β=0.5。 銀的密度有隨厚度增加而增加的趨勢，愈來愈趨近塊材的理論值，由此估計薄膜成長初期是以樹枝狀的形式成長。而厚度為125A時，密度為銀塊材密度的65.2%，由此推斷銀膜在成長初期有許多的孔隙產生。