使用多晶鍺通道以及二氧化鍺穿隧層堆疊以改善電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作速度研究

Thesis

使用多晶鍺通道以及二氧化鍺穿隧層堆疊以改善電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作速度研究

余彥呈

Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系

2017

Abstract

快閃記憶體

多晶鍺通道

多晶矽通道

二氧化鍺

flash

memory

Ge

Si

charge-trapping

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Details

Title: 使用多晶鍺通道以及二氧化鍺穿隧層堆疊以改善電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作速度研究
Translated title: 使用多晶鍺通道以及二氧化鍺穿隧層堆疊以改善電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作速度研究
Creators: 余彥呈
Contributors: 張廖貴術 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 工程與系統科學系; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2018