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使用金屬氧化半導體場校電晶體對頭頸部放射治療的活體劑量驗證
Thesis

使用金屬氧化半導體場校電晶體對頭頸部放射治療的活體劑量驗證

王立莊
Masters, 國立清華大學, 生醫工程與環境科學系
2003

Abstract

品質保證 活體劑量度量 入射劑量 出射劑量 金屬氧化半導體場校電晶體 quality assurance, QA in vivo dosimetry entrance dose exit dose MOSFET
在放射治療中,病患臨床接受劑量的驗證工作,是品質保證中重要的一環。而活體劑量度量(in vivo dosimetry)乃是一種簡單而又準確的驗證方式,它是在病患治療時即時確認的唯一方法,且它獨立於劑量計算系統之外,並可同時追蹤數個誤差。因此,活體劑量度量已逐漸形成為品質保證中之基本項目。 本研究使用金屬氧化半導體場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)針對頭頸部、左右對照、深度相同之放射治療病患,進行活體劑量度量。將MOSFET劑量計置於入射及出射之皮膚表面,可測得入射劑量(entrance dose)及出射劑量(exit dose),兩者透過平均法或穿透率曲線法即可獲得病患體內之腫瘤劑量,推算之腫瘤劑量與醫囑之處方劑量比較,並追蹤其誤差來源。 研究結果共量測了32個照野,屬於10位病患,結果有40.625%照野的腫瘤劑量大於5 %之處方劑量,大於10 %的劑量誤差則有9.375 %。檢討整個治療流程,系統誤差可能來自於組織密度不均質(inhomogeneity)與頭部面罩之影響。除此之外,MOSFET劑量計之不穩定性,可能來自於其計讀系統,若操作不當其讀值將有明顯差異,因此也造成活體量測之不確定性。 經由本研究可建立一套包括校正劑量計、修正各治療條件、與實際病患量測之完整活體劑量驗證方式,而使用MOSFET劑量計做為臨床輻射度量有多項優點,包括體積小、簡單的校正程序、同步計讀、和反應之再現性佳等。也經由誤差分析,瞭解治療流程中可能發生誤差之程序,在決定治療計畫時應特別注意,以避免劑量誤差,達到品質保證之目的。

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