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使用電化學法配合互補式金屬氧化半導體電路之多巴胺定量感測器
Thesis

使用電化學法配合互補式金屬氧化半導體電路之多巴胺定量感測器

詹豐林
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2007

Abstract

多巴胺 帕金森氏症 氧化還原法 交叉電極感測器 CMOS感測電路 微機電技術 Dopamine Parkinson's disease Electrochemical Oxidation Reduction IDA CMOS MEMS
本論文研究目的在於如何製作出同時俱備即時監測、定量以及成本低廉之多巴胺(Dopamine)生醫感測晶片。一般咸信建立一個即時監測人體多巴胺濃度的硬體平台將有助於了解帕金森氏症(Parkinson's Disease)患者在接受治療後體內多巴胺改變的情況;有鑑於目前醫院所採用之高壓液相層析法(High Pressure Liquid Chromatography, HPLC)無法達到即時監測且儀器成本昂貴,因此本感測晶片採用電化學氧化還原法(Oxidation Reduction)來感測多巴胺。 論文中可以分成交叉電極(Interdigitated Array Electrodes, IDA Electrodes)感測器與互補式金屬氧化半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)感測電路兩個部份,我們使用微機電技術(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)將感測器製作在表面含有氮化矽(Silicon Nitride)的矽晶片上,多巴胺可藉由此晶片因電化學氧化還原反應產生訊號電流,我們再將此訊號電流經過互補式金屬氧化半導體感測電路放大並對電容充電轉換成電壓訊號,在相同的充電電壓下我們可以藉由不同的充電時間來讀出所感測之電流,最終便可換算出多巴胺濃度。 我們所設計的交叉電極感測器其感測度在2 µM的多巴胺下,可以產生0.88 nA的訊號電流;而在互補式金屬氧化半導體感測電路方面,其訊號電流動態感測範圍可從300 pA~300 nA,這代表此感測電路配合我們製作的感測器理論上可以感測之多巴胺濃度範圍是0.68 µM~680 µM。

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