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偏壓對RF PECVD製作之非晶碳膜影響研究
Thesis

偏壓對RF PECVD製作之非晶碳膜影響研究

吳則賢
Masters, National Tsing Hua University
1995

Abstract

非晶碳 偏壓 amorphous carbon dc bias
由於不同的製程方法使非晶碳膜的物理性質和機械性質在一範圍內可以變化,所以在不同性質範圍皆有不同的應用,尤其本實驗室將其利用在相變化光碟的保護層上。本實驗室在基板電極端加裝直流偏壓,並以改變偏壓大小(150V到-600V) 研究其薄膜物性和微結構的關係,並建立其應用在光碟保護膜上光熱性質的資料庫。在光性質方面,非晶碳膜的光能隙約在2.1eV,對830nm和 680nm的雷射光不會吸收,而折射係數可達為1.69;熱性質方面,利用熱擴散長度和密度與EMA(effective mediumapproximation)方法計算CP的結果相互配合可以求出熱傳導係數,而本實驗製作之薄膜可以達3.9(W/m.k)。

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