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Thesis
側向生長方式成長之單根奈米碳管電性量測
吳沛勳
Masters, National Tsing Hua University
2006
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Abstract
奈米碳管側向生長電極保護層單電子電晶體庫倫阻斷庫倫震盪
摘要以成長方式製作單根跨過電極之多壁奈米碳管,製作成具有源極、汲極與閘極的元件並量測其在低溫下施加不同閘極偏壓的電流特性。此一成長單根跨過之奈米碳管使用新的製程所做出來的電極結構。電極上具有氧化鋁保護層,使電極在成長碳管時只從側邊成長跨過,電極接線部分不受影響。第一章為碳管簡介,第二章為實驗儀器介紹與實驗流程,第三章為所量測電流特性的相關理論,第四章為結果與討論。
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Title
側向生長方式成長之單根奈米碳管電性量測
Translated title
側向生長方式成長之單根奈米碳管電性量測
Creators
吳沛勳 (Author)
Contributors
呂助增 (Advisor)
Awarding Institution
National Tsing Hua University; Masters
Theses and Dissertations
Masters, National Tsing Hua University
Resource Type
Thesis
Date published
2007
Language
English
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