側向耦合浮動金屬閘極鰭式場效電晶體之差動式可多次寫入記憶體元件

Thesis

側向耦合浮動金屬閘極鰭式場效電晶體之差動式可多次寫入記憶體元件

許嘉玲

Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所

2016

Abstract

鰭式場效電晶體

多次寫入記憶體

浮動閘極元件

FinFET

multiple-time-programming memory

floating gate

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Details

Title: 側向耦合浮動金屬閘極鰭式場效電晶體之差動式可多次寫入記憶體元件
Translated title: 側向耦合浮動金屬閘極鰭式場效電晶體之差動式可多次寫入記憶體元件
Creators: 許嘉玲
Contributors: 金雅琴 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2017