Abstract
使用高密度電漿化學氣相沉積(High Density Plasma CVD, HDPCVD)的設備，對基板表面的Ni金屬催化劑進行前處理，並成長奈米碳管。先將基板表面的Ni金屬層加熱至成核，再以Ar電漿外加負直流偏壓，以增強Ar離子能量來轟擊Ni金屬顆粒。在不同的直流偏壓與改變轟擊時間下，便可以得到不同密度的Ni金屬顆粒大小與密度分佈；當直流偏壓越大、轟擊時間越長，所得到的Ni顆粒密度越低、直徑也越小。再將此經過Ar電漿處理完之基板成長奈米碳管，便可以有效控制碳管密度；當碳管的密度越低，則場發射遮蔽效應(screening effect)影響越小，因此便可可得到更高的場發射電流密度。良好的場發射特性奈米碳管，可應用在場發射平面顯示器的元件上。