Abstract
本論文分為兩部份，第一部份是以光導電度法量測光吸收係據進行能階密度分佈的模擬計算。量測光源強很多，所以可將照光後的準費米能階（quasi Fermi level ）固定，因此電子的生命期τ在實驗過程中，保持一定，如果假設電洞對光導電度的貢獻遠小於電子，量子效應（uantum effinciency），反射率R ，電子的移動率u ，為常數，而且試片符合αd ＜＜１，（d 是試片厚度），則可推導得光導電度σ F α，F 是光子通量，所以光電流亦與Fα 成正比，只要量F 和光電流，α的相對值跟著決定，此外，和光譜儀在高能量區量得的光吸收係數的比對，就可得到真正的光吸收係數。由光導法量得的光吸收係數，我們以一求多變函最小值的程式執行模擬計算，此函數最小化的方法是一次改變一個方向，且在這個方向上找最小值，直到函數值不再變小，模擬計算計，除了假設接近共價帶和傳導帶的能階密度分佈是指數外我們以多項式取代一般常用的高斯分佈，另外在推導α（E ）與帶隙能階密度分佈的關係時，假設動量基數（momentum matrix element ）為常數，而且電子只有從帶隙到傳導帶的躍遷。