Abstract
隨著光纖通信系統的發展，長波長光電元件是未來進步的方向。１．３微米（或１．５微米）頻道是兩個低色散、低損耗的光纖頻率，最適合光纖系統之用。汞鎘碲是種被廣泛研究的II－VI族光電材料，它的能隙可調範圍從－０．３到１．６電子伏特，它在遠紅外光區域的特性，過去已被廣泛地應用於軍事方面。然而它在１－２微米的一些特性已經引起了更大的興趣。我們利用非封閉式液相磊晶法（LPE ），在碲化鎘（CdTe）的基板上成長P 型汞鎘碲〔Hg（１－x ）Cd（x ）Te，x ＝０．７〕磊晶。然後使用連續硼離子佈值以形成P－N 接面二極體，佈植的條件為：能量為４０及１００KeV ，劑量為１＊E １５╱cm︿２，然後在１５０℃退火二個小時。在光二極體的製造方面，我們利用溴甲醇做凸臺蝕刻（mesaetching ），並應用標準石版印刷術及物理蒸鍍技術，做出P 型及N 型的歐姆接觸，其蒸鍍之金屬分別為金及銦。在磊晶層的量測方面，我們使用了霍氏紅外光譜儀（FTIR）、X 光繞射儀（XRD ）、掃描式電子顯微鏡（SEM ）、及歐傑電子能譜儀（AES ）來分析磊晶層之成份組成及品質。在元件的特性量測方面，其截止波長（cutoff wave length）約為１．２７微米，照光的光壓響應（photovoltaic response ）為０．２２安培╱瓦特，量子效率（qua-ntum efficiency ）為０．４３，而偵測能力（detectivity ）為２．１＊E １１cm﹣Hz︿０．５╱W 。