六吋高強度屏蔽奈米化矽基板之GaN磊晶可行性驗證

Thesis

六吋高強度屏蔽奈米化矽基板之GaN磊晶可行性驗證

許育瑋

Masters, 國立清華大學, 奈米工程與微系統研究所

2015

Abstract

矽基氮化鎵

奈米化

強度提升

磊晶

電性

GaN on Silicon

nanotexturing

strength enhancement

epitaxy

electrical property

因申請專利緣故，資料延後公開

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Details

Title: 六吋高強度屏蔽奈米化矽基板之GaN磊晶可行性驗證
Translated title: 六吋高強度屏蔽奈米化矽基板之GaN磊晶可行性驗證
Creators: 許育瑋
Contributors: 葉哲良 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 奈米工程與微系統研究所; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 奈米工程與微系統研究所
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2016