Abstract
在同樣的條件下，表面具有溝槽的太陽電池優於表面平滑的太陽電池。電子佈植和擴散兩種方法都被用來造成P-n junction電子佈植方法的高能量離子所造成的晶格破壞必須被改善。從平行於正負接觸面(p-n junction)的方向部分照光於不同位置所產生的閉路電壓被研究的結果顯示了背面電場。在相當於AMI 的光照下，由離子佈植法所造成的最高效率達 8.3﹪而由擴散法所製成的達14.5﹪。
- Title
- 具有溝槽的矽太陽電池
- Translated title
- 具有溝槽的矽太陽電池
- Creators
- 周淚淵 (Author)
- Contributors
- 楊毓東 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English