Abstract
本研究探討植入離子種類,劑量,退火溫度及ONO薄膜製程等的實驗條件對ONO矽微條探測器之漏電流的影響;發現試片曾遭受巨大的剪應力,而來源卻是ONO薄膜;低壓化學沉積成長的氮化矽是張應力的薄膜,於是我們改變氮化矽的製程,由低壓化學沉積法轉為電漿化學沉積法,因而降低漏電流;所以,在適當的離子植入和退火條件下,ONO薄膜的製程對漏電流的降低是很重要的。
- Title
- 具氧化矽-氮化矽-氧化矽電容層結構之矽微條探測器漏電流的研究
- Translated title
- 具氧化矽-氮化矽-氧化矽電容層結構之矽微條探測器漏電流的研究
- Creators
- 江松燦 (Author)
- Contributors
- 黃倉秀 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English