Abstract
在本研究過程中，我們利用分子束磊晶在低溫成長(230℃及350℃)摻雜矽的砷化鎵做為調變型光偵測器的通道區。並利用黃光微影製程：曝光、顯影、蝕刻等技術得到所要的指狀電極圖樣；並利用浸泡氯苯等方法來使光阻形成突出結構，以利於後續金屬掀除動作。蒸鍍金-鍺-鎳合金當作電極，在360℃退火30秒後形成歐姆接觸。比較二種不同磊晶結構的調變型光偵測器，結構A具有較大光電流及較小的暗電流。結構B由於成長溫度較高，因此矽的摻雜效率較高，造成AlGaAs層並未完全空乏，形成並聯導通，因此暗電流非常高。在蝕刻掉部分AlGaAs層後已大量降低暗電流，但光電流相對比結構A元件小。在元件電極圖形方面，具有愈小電極寬度及間距、愈多電極數量及愈大的電極長度相對具有較高的光電流，未來在製程許可下，應可盡量縮小電極尺寸及間距以獲得較高光電流。