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分子束磊晶成長三五族半導體量子井的穿透電流研究
Thesis

分子束磊晶成長三五族半導體量子井的穿透電流研究

田志豪
Masters, National Tsing Hua University
1988

Abstract

分子束磊晶三五族半導體量子井電子多層位能障共振穿透效應
本篇論文的主要內容是討論多層位能障量子井中電子的共振穿透效應,分為兩個部分:(1)假設所加的電壓是均勻分佈,以Airy函數近似電子波函數而解得其穿透係數,然後將穿透係數代入計算電流的公式,便可得到電子的穿透電流。在計算過程中,同時假設電子平行入射方向之能量是維持不變。由於這個緣故,我們稱此穿透過程為彈性穿透。(2)考慮電子與極性光聲子之間的散射作用,利用一個類似 Breit-Wi-gner散射公式,假設散射位能具有一個虛數部份(由電子與光聲子之間的交互作用決定),我們計算出散射過程對電子穿透運動的影響。經過電腦數值分析計算的結果,我們可以歸納出以下幾點結論:(1)共振能量出現在類束縛能態的附近,而且一一對應。(2)共振能量發生的位置受偏壓,位能井之寬度及位能障之高度影響較大,而半極值能寬則深受位能障之寬度影響,位能障之寬度越寬,則表示為位能井中的類束縛能階藕合的情形越小,而穿透係數的半極值能寬也越窄。(3)左右對稱性越高,則量子井的穿透係數極值越大。(4)以多層能障結構取代較厚的能障時,低入射能量範圍的穿透係數明顯的增大而半極值能寬幾乎不變。(5)考慮光聲子的影響時,穿透係數極大值的半寬度會隨之變寬,同時極大值的大小也會變小,這種影響在寬的能障結構中較為明顯。而電子與光聲子之間的交互作用是隨著溫度上升或是入射電子能量的增加而遞增。

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