Abstract
本實驗利用同步輻射中心 X光實驗室的 X光源 (Cu靶，K□ 波長) 及繞射儀，再加上所組裝的真空裝置，設計成一組可進行現場(in-situ) 氧化研究的實驗裝置。以此裝置對氧化鋯結構進行現場(in-situ) 和非現場(ex-situ ) 的研究。氧化鋯共有單斜晶、體心四方堆積及立方堆積三種不同的結構方式，其中體心四方堆積及立方堆積屬於高溫相 (1000℃ 以上)本實驗係利用 X光的粉末繞射法，對鋯 (鋯合金) 初期氧化所形成之氧化膜做一研究。但從本實驗的 X光粉末繞射圖形中，和許多文獻一樣，皆發現: 相對低溫中(1000℃ 以下) 體心四方堆積結構的存在，且在本實驗中是和單斜晶結構共存。同時經由純鋯氧化和鋯合金氧化對照實驗，證明了鋯合金中所加的溶質對體心四方堆積結構在低溫中之所以能夠呈穩定相具有相當大的影響。其次，由實驗得知: 當氧化溫度增高，氧化膜中所含體心四方堆積結構的比例也增加。此外，當氧化膜厚度增加，氧化膜中所含體心四方堆積結構的比例會隨之減少。最後再配合低角度繞射實驗，證實了體心四方堆積結構生成於氧化膜中，且愈接近氧化膜表面含量愈高。