Abstract
本論文針對蒸鍍在玻璃基板的超薄鉑薄膜進行微結構及光電性質的分析，以了解超薄鉑薄膜做為透明導電膜的條件，薄膜的製備是以電子槍系統蒸鍍鉑薄膜，而沈積在玻璃基板上，由使用反射率法的Kiessig 曲線得到薄膜的密度、厚度、表面及介面粗糙度的各項參數，再輔以透光性質、導電性質及薄膜生成連續性等情況來做分析。 實驗結果顯示與玻璃基板不互溶的鉑薄膜，在白金薄膜表面粗糙度部分，隨著厚度的增加，表面的粗糙度也有跟著增加的趨勢，在厚度3-120nm部分，以反射率法擬合粗糙度後得到的成長指數β=0.48 (正負0.06)，較為接近隨機成長β=0.5的模型，而薄膜的密度則平均為塊材的91.1%，由TCR實驗及反射率在粗糙度擬合的結果得出，此薄膜系統的連續性生成厚度應在3-4 nm之間，考慮到一般工業上透明導電膜的應用，厚度2-4 nm之間的超薄鉑薄膜其平坦度良好，其表面粗糙度在0.5 nm以下，再一併考量其導電度與可見光透光度後，亦較其他厚度理想，可作為工業上在透明電極或電洞注入層等元件在使用及改進時的參考。